晶體管類型:NPN

集射極擊穿電壓(Vceo):80V

集電極電流(Ic):1A

功率(Pd):500mW

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA

直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V

特征頻率(fT):100MHz

工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj)