晶體管類型：NPN

集射極擊穿電壓(Vceo)：10V

集電極電流(Ic)：35mA

功率(Pd)：150mW

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)-

直流電流增益(hFE@Ic,Vce)-

特征頻率(fT)：8GHz

工作溫度：+150℃@(Tj)