保守來(lái)講，當(dāng)下8英寸（200mm）晶圓的供應(yīng)鏈情況相當(dāng)嚴(yán)峻！

然而，這絕不是新問(wèn)題。中國(guó)臺(tái)灣的市場(chǎng)調(diào)查公司一一TrendForce于2020年11月發(fā)布新聞稱(chēng)：“就8英寸晶圓的產(chǎn)能而言，自2019年下半年以來(lái)一直持續(xù)在嚴(yán)重的供給不足問(wèn)題”。

此外，雪上加霜的是2021年3月瑞薩電子那珂工廠(chǎng)發(fā)生了火災(zāi)。由于瑞薩的此處工廠(chǎng)為諸多車(chē)型供貨，因此導(dǎo)致問(wèn)題更加惡化。

基于以上背景，導(dǎo)致諸多因素“糾纏”在一起。但是，不言而喻，[敏感詞]的原因還是在于新冠疫情（COVID-19）。由于新冠疫情的發(fā)生，耳機(jī)、電腦、電視、顯示屏、手機(jī)等各種電子產(chǎn)品的需求猛增。

雖然汽車(chē)也屬于以上范疇，但人們還是希望汽車(chē)市場(chǎng)會(huì)在2021年內(nèi)從新冠疫情的陰影中恢復(fù)。如今各種產(chǎn)品都在推廣將多種功能匯集于一體的SoC（System on Chip）模式，因此很多產(chǎn)品都需要搭載多個(gè)具備數(shù)模混合信號(hào)（Mixed Signal Chip）的IC。以上產(chǎn)品的用途方向主要有以下：PMIC（Power Management IC）、CMOS圖像傳感器、指紋識(shí)別傳感器、汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)/底盤(pán)控制、顯示屏驅(qū)動(dòng)IC、Sub Giga Hertz的無(wú)線(xiàn)通信芯片等。一般情況下，以上這些都適用180納米、350納米工藝，用8英寸晶圓生產(chǎn)。

即，用于這種數(shù)模混合信號(hào)芯片（Mixed Signal Chip）、功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品需求不斷增長(zhǎng)，這導(dǎo)致了8英寸晶圓的產(chǎn)能不足。

受到8英寸晶圓的供給達(dá)到極限的影響，代工廠(chǎng)（Foundry）很有可能會(huì)擴(kuò)大產(chǎn)能。代工廠(chǎng)可能會(huì)收購(gòu)垂直統(tǒng)籌型廠(chǎng)家（IDM：Integrated Device Manufacturer）的8英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備和產(chǎn)線(xiàn)。可列舉的事例如下：最近有報(bào)道指出，中國(guó)臺(tái)灣的UMC正在討論收購(gòu)Japan Semiconductor（原東芝的半導(dǎo)體制造公司） 的8英寸產(chǎn)線(xiàn)。

  沒(méi)有供生產(chǎn)廠(chǎng)家  
  正如Trend Force的報(bào)道指出的一樣，自2019年下半年開(kāi)始的嚴(yán)重的半導(dǎo)體供給不足問(wèn)題，可以推測(cè)的原因是幾乎沒(méi)有廠(chǎng)家可以生產(chǎn)出8英寸晶圓的設(shè)備，即使現(xiàn)在也是如此，因此半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的價(jià)格不斷高漲。    

TSMC的采用8英寸、12英寸晶圓的工藝。（圖片出自：eetimes）       此外，8英寸晶圓的價(jià)格較12英寸低得多，因此，代工廠(chǎng)普遍認(rèn)為擴(kuò)大8英寸產(chǎn)能的成本效率更差。因此，產(chǎn)生了一系列連鎖反應(yīng)，如一部分代工廠(chǎng)就對(duì)客戶(hù)提高了8英寸晶圓的價(jià)格。  
  換句話(huà)說(shuō)，就8英寸晶圓的情況而言，與其說(shuō)“供應(yīng)鏈混亂”，不如說(shuō)其特點(diǎn)是“供應(yīng)廠(chǎng)家不足”。       一部分“移步”12英寸晶圓  
  就12英寸（300mm）晶圓的代工廠(chǎng)而言，以TSMC、GLOBALFOUNDRIES為代表的各家企業(yè)為擴(kuò)大產(chǎn)能而在火熱地投資，然而，卻看不到任何有關(guān)8英寸的改善情況。  
  由于8英寸晶圓產(chǎn)能沒(méi)有任何改善，因此一部分廠(chǎng)家正在從現(xiàn)有的180nm、350nm的8英寸產(chǎn)線(xiàn)轉(zhuǎn)為使用12英寸晶圓。此外，很多代工廠(chǎng)可以提供用12英寸晶圓生產(chǎn)的130nm工藝，因此可用作二次供給源或者主要供給源。因此，這有助于提高供應(yīng)鏈的地理多樣性。       180納米、130納米工藝技術(shù)的特征  
  180納米和130納米工藝雖然有類(lèi)似的工藝，但也有不同的地方。主要是晶體管的閾值電壓的下降程度不同，核心供給電壓為1.8V一1.5V，或者低至1.2V。此外，由于存在各種工藝技術(shù)的選擇項(xiàng)，因此可以支持5V／3.3V的IO電壓，就對(duì)于模擬/RF設(shè)計(jì)極其重要的被動(dòng)零部件而言，這些工藝特征極其類(lèi)似。    

用于Mixed Signal  ASIC等產(chǎn)品的主要節(jié)點(diǎn)技術(shù)比較圖。（圖片出自：eetimes）

    12英寸晶圓技術(shù)有多個(gè)優(yōu)勢(shì)。由于可代替舊代際技術(shù)中的鋁而使用銅，因此電流密度允許值也較高，耐電遷移性也較優(yōu)秀。此外，金屬層的層數(shù)也較多，晶體管尺寸較小，因此，通過(guò)提高晶體管密度、布線(xiàn)密度，可以縮小芯片尺寸、提高性能。  
  此外，大部分180納米工藝技術(shù)和大部分的130nm BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)都可以支持STI（Shallow Trench Isolation，淺槽隔離）等功能，因此與大部分在350納米技術(shù)中使用的LOCOS（Local Oxidation of Silicon）絕緣相比，因此可以獲得較高的密度、閂鎖效應(yīng)（Latch Up）保護(hù)機(jī)能等。因此，達(dá)到提高線(xiàn)路性能和穩(wěn)定性的效果。  
  如今，130納米 BCD工藝已經(jīng)相當(dāng)成熟，因此可作為各種工藝技術(shù)的選擇項(xiàng)。如不同級(jí)別的高壓晶體管、非揮發(fā)性存儲(chǔ)半導(dǎo)體、MIM（金屬一一絕緣膜一一金屬）電容、穩(wěn)壓二極管（Zener）/肖特基二極管等。因此，不僅可以將復(fù)雜的模擬/RF功能與SoC解決方案融合，還可以提供其他優(yōu)勢(shì)。       8英寸晶圓還有很多優(yōu)勢(shì)  
  8英寸晶圓還有很多優(yōu)勢(shì)，比方說(shuō)，用350納米制造的8英寸晶圓的價(jià)格優(yōu)勢(shì)。  
  原因如下：生產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)完成折舊、生產(chǎn)工藝相對(duì)簡(jiǎn)單（層數(shù)少）。此外，一部分模擬線(xiàn)路未必能夠在新工藝中順利實(shí)現(xiàn)微縮化，因此與130納米同等程度的半導(dǎo)體芯片的價(jià)格可能會(huì)高于350納米。但是，當(dāng)因零部件不足導(dǎo)致無(wú)法生產(chǎn)產(chǎn)品時(shí)，大部分情況下會(huì)發(fā)生極其嚴(yán)重的情況，而不是單純的半導(dǎo)體芯片的成本差。  
  此外，現(xiàn)階段人們的關(guān)注點(diǎn)是盡管各家代工廠(chǎng)都在從8英寸轉(zhuǎn)到12英寸，但卻沒(méi)有一家廠(chǎng)家做出任何發(fā)言。對(duì)于Mixed Signal  ASIC熟練的廠(chǎng)家雖然在努力，但首先應(yīng)該著手于線(xiàn)路圖的端口、IC 的數(shù)據(jù)手冊(cè)（Data Sheet）。  
  就為重新設(shè)計(jì)ASIC所需的投資而言，應(yīng)該統(tǒng)籌一下其他產(chǎn)品，以免同樣受到如8英寸供應(yīng)鏈同樣問(wèn)題。  
  130納米的特征尺寸（Feature Size）較小，因此可以在不增加成本的情況下與“Arm Cortex-M”系列核融合。低端CPU所需要的芯片面積僅為數(shù)平方毫米，而且有可能以較高的效率與64kbit/128kbit的SRAM融合。  
  從如今的數(shù)據(jù)手冊(cè)來(lái)看，從設(shè)計(jì)ASIC、量產(chǎn)、獲得認(rèn)證的日程需要14個(gè)月一一24個(gè)月（依復(fù)雜程度而定），最初的Proto Type Silicon應(yīng)該可以在一年內(nèi)完成。如果是車(chē)載產(chǎn)品，從制作規(guī)格書(shū)到PPAP（Production part approval process，生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序）大概需要24個(gè)月一一36個(gè)月（依復(fù)雜程度而定）。130納米ASIC的一般預(yù)算為60萬(wàn)美元起步（依據(jù)實(shí)際的復(fù)雜程度和IP知識(shí)產(chǎn)權(quán)內(nèi)容而定），如果依據(jù)AEC-Q100的話(huà)，費(fèi)用為400萬(wàn)美元左右。如今，130納米工藝（12英寸晶圓）的Mask Tool的成本為20萬(wàn)美元以下，占整體成本的比例較低。  
  很多Mixed Signal Device都是由供給不足的8英寸晶圓制造的，由于8英寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)的投資不足（原因是投資收益率低下），未來(lái)供應(yīng)鏈問(wèn)題還會(huì)繼續(xù)存在。  
 

此次的半導(dǎo)體供給不足問(wèn)題某種程度上是一個(gè)“警告”，如今使用8英寸晶圓的企業(yè)應(yīng)該首先考慮一下未來(lái)的需求。此外，無(wú)論是主要生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，還是第二供應(yīng)商（Second Source），在所有的工藝完成之前都需要確保足夠的時(shí)間。

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