天天做天天爱天天综合网丨欧美亚洲色综久久精品国产丨18禁黄网站禁片免费观看丨亚洲伊人成无码综合网丨亚洲欲色欲香天天综合网

LS（低側）側SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off時的VDS和ID變化方式不同。在討論SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）的影響時，需要考慮包括SiC MOSFET的柵極驅動電路在內的等效電路。

下圖展示了最基本的柵極驅動電路和SiC MOSFET的等效電路。柵極驅動電路包括柵極信號（VG）、SiC MOSFET內部的柵極線路內阻（RG_INT）、封裝的源極電感量（LSOURCE）、柵極電路局部產生的電感量（LTRACE）和外加柵極電阻（RG_INT）。

在等效電路圖中，以柵極電流（IG）和漏極電流（ID）的方向為正，以源極引腳為基準來定義VGS和VDS的極性。

SiC MOSFET內部的柵極線路中也存在電感量，但相比LTRACE較小，因此可以忽略。

導通(Turn-on) / 關斷(Turn-off)動作

為了理解橋式電路的Turn-on和Turn-off動作，以下對上述文章中提到的SiC MOSFET的電壓和電流波形進行詳細說明，這些波形與前述相同，結合等效電路圖進行解釋。

當LS側的柵極信號施加正向VG使LS側ON時，Gate-Source間電容（CGS）開始充電，VGS升高，當達到SiC MOSFET的柵極閾值電壓（VGS(th)）以上時， LS的ID開始流動，同時從源極流向漏極的HS側ID開始減少（波形圖T1）。

接著，當HS側的ID變為零且寄生二極管Turn-off時，中間點電壓（VSW）開始下降，同時對HS側的Drain-Source間電容（CDS）及Drain-Gate間電容（CGD）進行充電（波形圖T2）。充電（LS側放電）完成后，當LS側的VGS達到指定電壓值，LS側的Turn-on動作完成。

Turn-off動作從LS側VG OFF時開始，LS側的CGS蓄積電荷開始放電，當達到SiC MOSFET的平臺電壓（進入米勒效應區）時，LS側的VDS開始上升，同時VSW上升。

在這個時間點，大部分負載電流仍在LS側流動（波形圖T4），HS側的寄生二極管還沒有開始導通。LS側的充電（HS側放電）完成后，VSW超過輸入電壓（E），HS側的寄生二極管Turn-on，LS側的ID開始流向HS側（波形圖T5）。

LS側的ID最終變為零，進入死區時間（波形圖T6），當正向VG被施加到HS側MOSFET的柵極信號時Turn-on，進入同步工作時間（波形圖T7）。