【60秒半導體新聞】ASML進博會展示DUV光刻機可生產7nm及以上制程芯片/顯微鏡下的蘋果A14：臺積電5nm果然有“水分”

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2022-03-10 13:38:46 0

顯微鏡下的蘋果A14：臺積電5nm果然有“水分”

(快科技)蘋果A系列處理器這些年一直處于獨步江湖的高度，無論設計還是性能都是*的佼佼者，最新的A14當然也不例外。

半導體逆向工程與IP服務機構ICmasters近日將一顆蘋果A14放在了顯微鏡下，仔細觀察了一番這個怪物。

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蘋果A14采用臺積電5nm工藝制造，集成多達118億個晶體管，內核面積僅為88平方毫米，密度為1.34億個晶體管/平方毫米。

作為對比，上代A13使用的是臺積電7nm工藝，集成85億個晶體管，內核面積94.48平方毫米，密度為8997萬個晶體管/平方毫米。

更早的A12也是臺積電7nm工藝，集成69億個晶體管，內核面積83.27平方毫米，密度為8286萬個晶體管/平方毫米。

根據臺積電的宣傳，5nm工藝可以做到1.713億個晶體管/平方毫米的密度，蘋果A14距離理論值差了不少，只發揮出來不到80％。

當然，這并不是說臺積電5nm工藝不行，而是不同芯片有著不同的邏輯電路、緩存布局和設計，但是就實際值與理論值的對比看，這次確實低了很多，前幾代可是全部超過90％，A13甚至達到了驚人的98.65％。

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另外，顯微觀察可以清楚地看到A14里的六個CPU核心，包括兩個大核心FireStorm、三個小核心IceStorm，以及四個GPU核心、16個神經引擎核心。

拆分來看，GPU核心占據11.65平方毫米，兩個大核心的二級緩存用掉了9.1平方毫米的面積，四個小核心的二級緩存則只占6.44平方毫米。

另外還有一個統一系統緩存，但暫時找不到在哪里。

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ASML中國展示DUV光刻機可生產7nm及以上制程芯片

正在進行的第三屆進博會上，光刻機巨頭ASML也參展了，并且還在自己的展臺上曬出展示了DUV光刻機。據悉，ASML之所以沒有展示新的EUV光刻機，主要是因為他們目前仍不能向中國出口EUV光刻機，而此次展示的DUV光刻機可生產7nm及以上制程芯片。

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ASML此次也帶來了其整體光刻解決方案，包括先進控制能力的光刻機臺計算光刻和測量通過建模、仿真、分析等技術，讓邊緣定位精度不斷提高。

在這之前，ASML CFO Roger Dassen在財報會議的視頻采訪中談到了與中芯國際等中國客戶的業務情況，其表示一些情況下，出口光刻機是不需要許可證的。

Roger Dassen指出，ASML了解美國當局目前的規章制度及其解釋，當然也知道這些與特定的中國客戶密切相關，但如果廣泛的來理解其規章制度對ASML的總體含義(對于特定的中國客戶)，則意味著ASML將能夠從荷蘭向這些中國客戶提供DUV光刻系統，且無需出口許可證。

美國僅僅是限制了美國不能給中國出口芯片、光刻機等，但并沒有限制其他*對中國進口，荷蘭并不在美國的禁令范圍內。

目前的光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV光刻機，分為干分式與液浸式兩種。其中，液浸式于ASML手中誕生，其波長雖然有193nm，但等效為134nm，經過多重曝光后，液浸式光刻機也能夠達到7nm工藝。但是，每多一次曝光都會使得制造成本大大提升，而且良品率也難以控制。

EUV光刻機采用13.5nm波長的光源，是突破10nm芯片制程節點必不可少的工具。也就是說，就算DUV（深紫外線）光刻機能從尼康、佳能那里找到替代，但如果沒有ASML的EUV光刻機，芯片巨頭臺積電、三星、Intel的5nm產線就無法投產。

快訊

西部數據攜手dropbox 加速在當今數據推行的云基礎架構

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意法半導體于日前宣布，與新加坡A * STARIME研究所和日本*的制造工具供應商ULVAC合作，在意法半導體新加坡晶圓廠內聯合創辦一條以壓電式MEMS技術為重點研究方向的8英寸(200mm)晶圓研發生產線。這個全球首創的“Lab-in-Fab”研發生產線整合三個合作方在壓電材料、壓電式MEMS技術和晶圓制造工具領域的*技術和優勢互補的研發能力，促進新材料和工藝技術創新發展，最終加快企業客戶的產品開發。

結合藍牙5和低功耗蜂窩通信的Laird Connectivity Sentrius MG100網關在貿澤開售

2020年10月30日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Laird Connectivity Sentrius? MG100網關。該網關基于Laird Connectivity Pinnacle 100蜂窩調制解調器，在這個微型物聯網 (IoT) 網關中集成了遠距離藍牙5連接和LTE-M/NB-IoT連接。

恩智浦助力全新小米碰碰貼2.0，實現智能家居的無縫連接

2020年10月30日——恩智浦半導體和小米公司今天宣布，公司憑借基于恩智浦NTAG NFC芯片技術的全新小米碰碰貼2.0，正使人們的生活更加智能，更易于管理。碰碰貼和小米的“米家”應用程序可與眾多小米智能家居設備配合使用，例如照明、監控攝像頭、鬧鐘和娛樂系統。只需將支持NFC的小米智能手機輕輕一碰，即可完成設備的配置和管理。

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10月30日，中國電信廣東公司與華為簽署“翼氣風發粵創未來”*戰略合作協議, 雙方將在5G、云、計算、AI、行業應用及業務創新等領域建立*戰略合作關系，共同推動5G等領域高質量發展，為更多的細分行業賦能賦智，不斷滿足人民日益增長的美好生活需要。中國電信廣東公司總經理唐珂、副總經理歐陽天平、張國新、楊小豐、唐方、王湘江；華為常務董事、運營商BG總裁丁耘、華為運營商BG Marketing與解決方案銷售部總裁彭松、華為中國區副總裁廣東代表處代表周建軍、華為中國區電信系統部部長郭海龍等出席了簽約儀式。

海外制造基地業務整合超預期長電科技第三季度盈利創歷史新高

2020年10月30日——全球*的半導體微系統集成和封裝測試服務提供商長電科技今日公布了截至 2020 年 9 月 30 日的 2020 年第三季度財報。財報顯示，長電科技第三季度實現收入人民幣67.9億元，凈利潤人民幣4.0億元，收入穩健增長，盈利能力持續提升。至此，長電科技2020前三季度累計實現收入人民幣187.6億元，凈利潤人民幣7.6億元，收入和凈利潤均創歷史新高。

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TDK集團推出新系列焊片式愛普科斯 (EPCOS) 鋁電解電容器——B43647 *。新系列元件外殼尺寸范圍為22 mm x 25 mm至35 mm x 55 mm，電容值范圍為120 µF至1000 µF，最高工作溫度可達105°C，并且具有高CV值和高達7.22 A (100 Hz, 60 °C) 的大紋波電流能力，在450 V DC的額定電壓和最大紋波電流下，額定使用壽命長達2000 h，是電力電子器件中理想的超緊湊解決方案。憑借*的可靠性，新系列電容器廣泛適用于服務器、電信和工業應用的電源、UPS系統、醫療設備、光伏逆變器和變頻器。此外，其穩定的快充和放電周期還能滿足伺服驅動器應用的高要求。

SiFive推RISC-V PC主板Unmatched：推進開源計算硬件商業化進程

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近日，浪潮5G MEC邊緣計算一體機iAIO（inspur All InOne） V1.0獲得中國通信標準化協會SNAI（SDN/NFV/AI）標準與產業推進委員會組織的EC Ready認證并正式上市，標志著浪潮邊緣計算產品在邊緣設備、邊緣方案和邊緣服務三方面達到行業*水平。

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